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编程器NAND Flash 技术入门


NAND Flash分类
SLC(Single-Level Cell)架构:单一储存单元(Cell)可储存1bit data
MLC(Multi-Level Cell)架构:单一储存单元(Cell)可储存2bit data 
SLC
「Small page (528 Byte)、Large page (2112 Byte)」
在每个储存单元(Cell)内储存1个资讯位元(bit),称为单阶储存单元(single-level cell, SLC),使用这种储存单元的快闪记忆体也称为单阶储存单元快闪记忆体(SLC flash memory),或简称SLC快闪记忆体。SLC快闪记忆体的优点是传输速度更快,功率消耗更低和储存单元的寿命更长。然而,由于每个储存单元包含的资讯较少,其每百万位元组需花费较高的成本来生产。

 
 

 

MLC
「Large page (2112 Byte)、Large page (4224 Byte)」
多阶储存单元快闪记忆体(Multi-level cell flash memory, MLC flash memory)可以在每个储存单元内储存2个以上的资讯位元 ,其「多阶」指的是电荷充电有多组电压值,如此便能储存多个位元的值于每个储存单元中。因为每个储存单元可储存更多的位元,所以MLC快闪记忆体的每单位储存成本较为低廉。早期比起SLC快闪记忆体,MLC传输速度较慢,功率消耗较高和储存单元的寿命较低为其缺点,但科技日新月异,良率问题持续改善,现今市面上的NAND Flash多数都为MLC架构。

 
 
 


 
 
 
NAND Flash 资料结构

 

 
 

NAND Flash Invalid Block 
NAND Flash 在出厂时都会作严格的测试编程,以确认每一个Block(区块、轨区)是否正常,测试不通过的Block 会被标上记号,这些Block 就叫 Initial Invalid Block(潜在的Bad Block)。这些 Initial Invalid Block的资讯很重要,不可以轻易删除,因为有些Block经过Erase后Invalid block 的资讯就会不见,这时使用者自己使用编程器或烧录器厂商都是无法再找出这些 Invalid block 。Invalid Block 的标示位置,在SLC、MLC 上会不一样需注意(厂牌不同也会有差异)。
 
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